Globale Finanz-, Ressourcen-, Gesellschafts- und Klimakrisen erfordern eine neue, menschliche und wertschätzende Wirtschaftsform. Als solche wird in diesem Buch eine im Sog der Regionalisierung entstehende Wirtschaftsart mit nachhaltiger Werteorientierung vorgestellt und neu definiert: die "Regionalwirtschaft". Sie hat das Potential, die Kraft der Regionen zu wecken und zu nutzen, um dort die Wertschöpfung zu stärken und deren Vitalität, Vielfalt und Lebensqualität zu heben. Die Autoren schildern facettenreich Hintergründe, internationale Praktiken und Strategien zur Inwertsetzung der Regionalwirtschaft, die in der Folge wirtschaftliche Prosperität vor Ort bewirken, aber auch die gesamte Lebenskultur bereichern. Erstmals werden in diesem Buch internationale Ansätze und Strategien von Experten unterschiedlicher Fachrichtungen dargelegt. Die auf langjähriger Praxiserfahrung beruhenden Beiträge sollen Regionen, Kleinregionen und Gemeinden, aber auch Verwaltungsstellen und Unternehmen Mut machen, Regionalwirtschaft als notwendiges Zukunftsmodell aufzugreifen und gemeinsam mit Bürgerinnen und Bürgern eigenverantwortlich umzusetzen.

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Christian Eigner, Geisteswissenschaftler, Unternehmensberater, psychodynamisch arbeitender Coach und Organisationsentwickler, leitet gemeinsam mit Michaela Ritter, Betriebswirtin, systemischer Coach, Organisationsberaterin und Systemische Therapeutin, das "Büro für PerspektivenManagement" in Graz. Christian Krotschek ist Regionalentwickler und Verfahrenstechniker. Michael Narodoslawsky ist Professor für Verfahrenstechnik an der Technischen Universität Graz. Josef Ober ist steirischer Landtagsabgeordneter. Wolfgang Wlattnig ist Verwaltungsjurist und Mitarbeiter von Landeshauptmann-Stv. Hermann Schützenhöfer.

A Allgemeine Grundlagen elektronischer Halbleiterbauelemente.- 1 Grundprinzipien und Eigenschaften elektronischer Halbleiterbauelemente.- 1.1 Ladungsträger in Festkörpern.- 1.1.1 Bindungsmodell. Eigen- und Störhalbleiter.- 1.1.2 Bändermodell und Bandstruktur.- 1.2 Ströme und Ladungen in Halbleitern.- 1.2.1 Trägertransport.- 1.2.2 Kontinuität der Trägerströme.- 1.2.3 Trägervernichtung und -erzeugung..- 1.2.4 Ladungsträgertransportmechanismen an Grenzflächen.- 1.3 Raumladungen in Halbleitern. Poissonsche Gleichung.- 1.3.1 Poissonsche Gleichung.- 1.3.2 Raumladungsfall. Verarmungsnäherung. Raumladungsbegrenzter Stromfluß.- 1.3.3 Neutral-, Quasineutralfall.- 1.3.4 Örtliche und zeitliche Relaxation von Raumladungsstörungen.- 1.4 Grundgleichungen der inneren Elektronik von Halbleiterbauelementen.- 1.4.1 Quasiferminiveaus.- 1.4.2 Halbleitergrundgleichungen.- 1.4.3 Halbleiter mit räumlich veränderbarer Bandstruktur.- 1.5 Allgemeine elektrische Eigenschaften von Halbleiterbauelementen.- 1.5.1 Gleichstromverhalten.- 1.5.2 Kleinsignalverhalten.- 1.5.3 Impuls- und Schaltverhalten.- 1.5.4 Thermisches Verhalten.- 1.5.5 Rauschen.- 1.6 Bauelementebezeichnungen, Gehäuse.- B Grenzflächengesteuerte Halbleiterbauelemente.- 2 Grenzflächengesteuerte Zweipolbauelemente: Halbleiterdioden.- 2.1 pn-Übergang. Universal- und Richtdioden.- 2.1.1 Wirkprinzip. Elektrische Eigenschaften.- 2.1.1.1 Kennlinie.- 2.1.1.2 Dynamische Eigenschaften.- 2.1.1.3 Diodenmodell für die Schaltungssimulation.- 2.1.1.4 Diodenausführungsformen.- 2.1.2 Universal-, Richtdioden.- 2.1.3 Schaltdioden.- 2.1.4 Z-Dioden.- 2.1.5 Kapazitätsdioden.- 2.1.6 Tunneldiode.- 2.1.7 Leistungsgleichrichter, pin-, psn-Dioden.- 2.1.8 pin-Diode als Mikrowellenbauelement.- 2.2 Heteroübergänge.- 2.2.1 Arten von HeteroÜbergängen.- 2.2.2 Stromfluß durch Heteroübergänge.- 2.2.3 Anwendungen von Heteroübergängen.- 2.3 Metall-Halbleiter-übergang. Schottky-Diode.- 2.3.1 Kennlinie.- 2.3.2 Ohmscher Kontakt.- 2.4 Laufzeitgesteuerte Bauelemente. Impatt-Dioden.- 2.4.1 Laufzeitprinzip.- 2.4.2 Impatt-Diode.- 2.4.3 Tunnett-Diode.- 2.4.4 Baritt-Dioden.- 2.4.5 Qwitt-Diode.- 2.5 Weitere Diodenarten. Volumenbarrierendioden.- 3 Bipolartransistoren.- 3.1 Transistoreigenschaften.- 3.1.1 Kennlinien.- 3.1.2 Der Basisraum.- 3.1.3 Bipolartransistormodelle.- 3.1.4 Kleinsignalverhalten. Ersatzschaltung.- 3.1.5 Bau- und Ausführungsformen.- 3.1.6 Universaltransistoren kleiner Leistung.- 3.1.7 Mikrowellentransistoren.- 3.1.8 Schalttransistoren.- 3.2 Leistungstransistoren.- 3.2.1 Leistungstransistoren für tiefe Frequenzen.- 3.2.2 Hochfrequenz- und Mikrowellenleistungstransistoren..- 3.2.3 Verbundtransistoren.- 3.3 Sonderformen von Bipolartransistoren.- 3.3.1 Hetero-Bipolartransistor.- 3.3.2 Unijunctiontransistor, Doppelbasisdiode.- 3.3.3 Permeable Base-Transistor.- 4 Thyristoren. Diacs, Triacs.- 4.1 Thyristor.- 4.1.1 Kennlinien. Eigenschaften.- 4.1.2 Bauformen.- 4.1.3 Sonderformen von Thyristoren.- 4.2 Diac und Triac.- 4.2.1 Diac.- 4.2.2 Triac (Zweiwegthyristor).- 4.3 Thyristoren und Triacs im Grundstromkreis.- 4.3.1 Beschaltungsmaßnahmen.- 4.3.2 Zündschaltungen.- 4.3.3 Abschalten des Thyristors.- 4.3.4 Anwendungen.- 4.3.5 Vergleich von Leistungshalbleiterbauelementen.- 5 Feldeffekttransistoren.- 5.1 Sperrschichtfeldeffekttransitor.- 5.1.1 Wirkprinzip. Kennliniengleichung.- 5.1.2 Kleinsignal- und Hochfrequenzverhalten.- 5.1.3 Transistormodelle.- 5.1.4 Bauformen.- 5.1.5 Leistungs-Sperrschichtfeldeffekttransistor.- 5.2 Schottky-Gate-Feldeffekttransistoren.- 5.3 Selektiv dotierte Heterofeldeffekttransistoren, HEMT.- 5.4 Anwendungen, Vergleich verschiedener Transistorarten.- 6 MIS-Feldeffektbauelemente.- 6.1 MOS-Kondensator.- 6.1.1 Wirkprinzip.- 6.1.2 MIS-Bauelemente.- 6.2 MOS-Feldeffekttransistor.- 6.2.1 Wirkprinzip. Aufbau.- 6.2.2 Statische Eigenschaften. Kennlinien.- 6.2.3 Kleinsignal-, Hochfrequenzverhalten. Ersatzschaltung.- 6.2.4 MOSFET-Modelle.- 6.2.5 Bau und Ausführungsformen.- 6.3 MOS-Leistungstransistoren.- 6.3.1 Ausführungsformen.- 6.3.2 Kennwerte und Eigenschaften.- 6.3.3 MOS-Verbundtransistoren.- 6.3.4 Vergleich von Leistungsbauelementen.- 6.4 Speicher-MOS-Feldeffekttransistoren.- 7 Ladungstransferelemente.- 7.1 Wirkprinzipien und Eigenschaften.- 7.1.1 Eimerkettenstruktur.- 7.1.2 Oberflächenladungstransferelemente.- 7.1.3 Volumenladungstransferelemente.- 7.2 Weitere Ladungstransferstrukturen.- 7.3 Anwendungen.- C Bauelemente auf Basis von Volumeneffekten.- 8 Dielektrische Diode. MIM-(MSM-)Struktur.- 8.1 Volumenbegrenzte Vorgänge.- 8.1.1 Einträgerinjektion.- 8.1.2 Doppelinjektion.- 8.2 Kontaktbegrenzung.- 9 Transferelektronenbauelemente.- 9.1 Aufbau und Wirkprinzip.- 9.1.1 Elektronentransfermechanismus, Raumladungsinstabilitäten.- 9.1.2 Betriebsbereiche, Stabilität.- 9.1.3 Strom-Spannungs-Kennlinie des Gunnelementes.- 9.1.4 Kleinsignalverhalten.- 9.2 Großsignalverhalten.- 9.2.1 Dipoldomänen.- 9.2.2 Oszillatorbetrieb, weitere Domänenarten.- 9.2.3 LSA-Betrieb.- 9.3 Bauelemente und Anwendungen.- 9.3.1 Bauelemente, Bau- und Herstellungsformen.- 9.3.2 Anwendungen.- Anhang A, B.- Sachwortverzeichnis.